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光伏產(chǎn)業(yè)中抗pid臭氧發(fā)生器制備氧化硅工藝

抗PID晶體硅太陽能電池的制備方法，該抗PID晶體硅太陽能電池在硅基片和氮化硅之間制備一層氧化硅，從而抗PID的效果，所述氧化硅使用臭氧氧化工藝制備而成。

所述臭氧氧化工藝包括步驟：

1）提供一經(jīng)過擴(kuò)散處理后的硅基片；

2）對(duì)所述硅基片進(jìn)行清洗；

3）將所述硅基片至臭氧臭氧中，使硅基片的擴(kuò)散面在臭氧中氧化，直至該氧化作用自然停止，得到所需的氧化硅層。

硅基片清洗包括：使用HF溶液清洗去除所述硅基片表面的磷硅玻璃層，所述HF溶液的體積濃度為2?8％，清洗溫度為10 ?30°C，清洗時(shí)間為10?200s。

所述臭氧由臭氧發(fā)生器提供，該臭氧的濃度為5?100ppm。氧化動(dòng)作所需的處理時(shí)間為3s?60min，溫度為15?25°C，得到的所述氧化娃層的厚度為0.6?2nm。

步驟2）和步驟3）之間的間隔時(shí)間小于30min。

所述臭氧氧化工藝之后，還包括步驟4）：在氧化硅層表面沉積氮化硅層。所述氮化硅層的厚度在80?90nm之間。

所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時(shí)間小于30min，或者當(dāng)所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時(shí)間超過30min時(shí)，對(duì)所述硅基片實(shí)施一清洗動(dòng)作，以去除表面的自然氧化層。

該步驟基于蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司2014-04-03提交的《一種抗pid晶體硅太陽能電池制作方法》

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