臭氧發(fā)生器在ALD應(yīng)用中流程介紹

臭氧源+ Sci-L控制器

使用內(nèi)置的O3監(jiān)測(cè)器對(duì)O3濃度進(jìn)行閉環(huán)反饋控制。

O2氣體流量高達(dá)1000 sccm, O3濃度高達(dá)22 wt%。

當(dāng)發(fā)電機(jī)打開時(shí)，O3總是流動(dòng)=>需要一條分流線和一條處理線(內(nèi)置源)

由于發(fā)電機(jī)以30 psig的速度運(yùn)行(由BPR維護(hù))，并且ALD單元處于低壓狀態(tài)，因此必須對(duì)分流管線進(jìn)行泵送。

?工藝線連接到ALD裝置的反應(yīng)氣艙=>可以使用已經(jīng)到位的標(biāo)準(zhǔn)ALD閥門(需要對(duì)FlexAL控制軟件進(jìn)行小修改)

我們使用一個(gè)小腳本直接從ALD控制PC的桌面控制臭氧源(氣體流量，O3濃度，開/關(guān))。

用途:導(dǎo)電錫膜生長(zhǎng)

沉積條件

襯底溫度= 300C;

·TDMAT周期:1sec @ 15mT, Ar draw @ 50sccm;Ar吹掃4s @ 15mT;60C電源

H2/N2等離子給藥:流量、壓力、ICP功率、時(shí)間均可更改

退火條件(電阻率穩(wěn)定性試驗(yàn))

在400C的成型氣體中60分鐘

應(yīng)用范圍:III-V型半導(dǎo)體上的MIS器件

FlexAL ALD的原位As脫帽

●在InGaAs上生長(zhǎng)無(wú)定形as帽，在MBE末端生長(zhǎng)=>表面不受環(huán)境影響(理想表面=>很小Dit?)

以AsH3的形式暴露于兩功率H*等離子體(2W)中除去As帽。循環(huán)(2wh *等離子體持續(xù)5s)/(SE測(cè)量持續(xù)4s)直到到達(dá)界面。

?在清潔的InGaAs界面上立即生成氧化物(界面永遠(yuǎn)不會(huì)暴露在空氣中!)

●初步結(jié)果令人鼓舞